怎么做臭氧发生器_怎么做臭氧发生器

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国林科技:臭氧发生器可满足存储芯片领域证券之星消息,国林科技(300786)03月04日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者:公司的半导体设备是否符合存储芯片制造的技术工艺要求?国林科技董秘:尊敬的投资者,您好。国林半导体所研制臭氧发生器以及各类功能水设备可以满足应用在存储芯片领域,公司半导体行...

国林科技:取得“一种臭氧发生器”实用新型专利证书国林科技公告称,公司近日收到国家知识产权局颁发的“一种臭氧发生器”实用新型专利证书,专利号为ZL2025 2 1461118.4,申请日期为2025年7月11日。该专利可提高臭氧发生器的臭氧生成效率及生成臭氧气体中臭氧的浓度和纯度,已应用到公司现有产品或工艺中。该专利不会对公司...

国林科技:开发半导体行业专用臭氧发生器基于国林科技集团在臭氧机理研究的技术优势和技术沉淀,子公司国林半导体所开发出半导体行业专用的高浓度、高纯度、高可靠性的臭氧发生器和各品类机能水设备,可以为半导体、面板显示以及光伏等行业提供臭氧设备。公司主要产品及应用领域请参考公司官网及定期报告。感谢您...

拓荆科技获得实用新型专利授权:“一种臭氧发生器”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示拓荆科技(688072)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种臭氧发生器”,专利申请号为CN202423200903.2,授权日为2026年2月27日。专利摘要:本实用新型提供了一种臭氧发生器,包括:放电发生室;第一输入管路,其第一端经由第一阀门连接...

国林科技:薄膜沉积用臭氧气体发生器已小批量出货薄膜沉积工艺用臭氧气体发生器验证取得了重要突破,目前已小批量出货中。感谢您的关注。投资者:公司参与了商业航天火箭推进剂废水处理吗?有何技术亮点?目前国内商业航天客户对公司的推进剂废水处理技术需求情况如何?国林科技董秘:尊敬的投资者,您好。公司产品有火箭推进剂...

国林科技:臭氧在半导体行业的应用范围主要包括薄膜沉积、湿法清洗...证券之星消息,国林科技(300786)07月30日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者:公司的高纯臭氧发生器是否支持HfO₂、Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂、IGZO等先进半导体氧化物的薄膜制备?国林科技董秘:尊敬的投资者,您好。臭氧在半导体行业的应用范围主要包括薄膜沉积...

中持股份获得实用新型专利授权:“基于臭氧催化氧化的水处理系统”专利名为“基于臭氧催化氧化的水处理系统”,专利申请号为CN202520073204.1,授权日为2026年2月17日。专利摘要:本实用新型提供一种基于臭氧催化氧化的水处理系统,包括:臭氧催化氧化池;连通至臭氧催化氧化池的臭氧发生器;第一输送管道,第一输送管道的一端连通至臭氧催化氧化...

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⊙＾⊙ 国林科技:臭氧水杀菌系统专为电子行业杀菌、清洗应用而开发设计臭氧水杀菌系统好像是公司独有研发的设备,其他几家友商都没有此设备,请问臭氧水杀菌系统的主要应用场景及工艺阶段是哪些?国林科技董秘:尊敬的投资者,您好。臭氧水杀菌系统专为电子行业杀菌、清洗应用而开发设计,系统采用半导体级臭氧气体发生器以及纳米气泡混合技术,对工...

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国林科技:取得1项专利证书南财智讯7月9日电,国林科技发布公告称,公司近日收到国家知识产权局颁发的1项《实用新型专利证书》。专利名称为“一种臭氧发生器”。